金剛石MPCVD氫氣發(fā)生器正成為材料制備的核心支撐設(shè)備
在微波等離子體化學(xué)氣相沉積法制備高質(zhì)量金剛石薄膜的過程中，高純氫氣不僅是等離子體激發(fā)的載氣，更是刻蝕非金剛石碳相、促進(jìn)sp3鍵形成的關(guān)鍵反應(yīng)氣體。傳統(tǒng)鋼瓶供氫存在壓力波動(dòng)、純度不穩(wěn)、安全隱患等問題，而專為MPCVD系統(tǒng)設(shè)計(jì)的
金剛石MPCVD氫氣發(fā)生器憑借即產(chǎn)即用、純度≥99.9999%、流量穩(wěn)定、本質(zhì)安全等優(yōu)勢(shì)，正成為材料制備的核心支撐設(shè)備，并在多個(gè)前沿領(lǐng)域發(fā)揮重要的作用。
一、金剛石材料制備
在單晶/多晶金剛石生長(zhǎng)中，氫氣純度直接影響晶體質(zhì)量。雜質(zhì)（如O、HO、N）會(huì)導(dǎo)致缺陷、應(yīng)力或石墨化。金剛石MPCVD氫氣發(fā)生器通過質(zhì)子交換膜（PEM）電解純水，產(chǎn)出超純氫，配合MPCVD腔體實(shí)現(xiàn)：
高速、低缺陷單晶金剛石外延（用于量子傳感、高功率器件）；
光學(xué)級(jí)透明金剛石窗口（紅外/太赫茲透鏡）；
熱導(dǎo)率＞2000W/m·K的散熱片（5G基站、激光器熱沉）。
二、半導(dǎo)體與電子器件
金剛石基氮化鎵（GaN-on-Diamond）：利用氫氣發(fā)生器穩(wěn)定供氫，實(shí)現(xiàn)高導(dǎo)熱復(fù)合襯底，解決高頻芯片散熱瓶頸；
量子NV色心制備：超高純氫環(huán)境減少雜質(zhì)摻入，提升量子相干時(shí)間；
替代傳統(tǒng)氨氣/氫氣混合體系，提升工藝潔凈度與重復(fù)性。
三、光學(xué)與激光技術(shù)
在制備大尺寸CVD金剛石光學(xué)窗口時(shí)，氫氣發(fā)生器確保長(zhǎng)時(shí)間（>100小時(shí)）沉積過程無波動(dòng)，避免因氫氣雜質(zhì)導(dǎo)致的吸收峰（如2.87μmOH峰），滿足高能激光器、整流罩等對(duì)低吸收、高損傷閾值的嚴(yán)苛要求。
四、精密工具與耐磨涂層：提升工業(yè)刀具壽命
在硬質(zhì)合金刀具表面沉積納米晶金剛石涂層時(shí)，穩(wěn)定高純氫氣可優(yōu)化等離子體密度，增強(qiáng)膜基結(jié)合力，使刀具壽命提升3–5倍，廣泛應(yīng)用于航空航天鈦合金加工、汽車發(fā)動(dòng)機(jī)缸體切削等領(lǐng)域。
